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上圖是使用無損吸收的單管正激一次側(初級)典型電路，現(xiàn)分析其工作機制。 1.元件功能介紹：T1A是勵磁線圈，用于產生磁場，傳輸能量。 T1B是退磁線圈，用于對磁芯進行磁復位，避免

上圖是使用無損吸收的單管正激一次側(初級)典型電路，現(xiàn)分析其工作機制。
1.元件功能介紹：T1A是勵磁線圈，用于產生磁場，傳輸能量。
               T1B是退磁線圈，用于對磁芯進行磁復位，避免磁芯飽和。
               Q1： MOSFET，用作功率開關管。
               C3：一次側儲能電容。
               D1：為退磁電流提供通道，同時為C0提供充電通道。
               R1，C1：用于削除分布參數(shù)引起的尖峰。
               R2：取樣電阻。
2.工作原理：1。當Q1導通時，C3上的電壓通過T1A和Q1到地形成通路，此時，能量通過磁芯向次級傳送，同時，磁芯中的磁感應強度呈線性增長。
          2。為了在Q1下次導通前，磁芯中的磁感應強度下降到初始狀態(tài)，需要對磁芯進行退磁，這個功能是由T1B（和T1A繞在同一磁芯上),D1,C3完成的。T1A的“1”端和T1B的“3”端是同名端。由于電磁感應的作用，在Q1截止時，T1B的“4”端相對于“3”端是高電位，于是，退磁電流的通道就是由“4”通過D1，C3，回到T1B的“3”端。此時，實際上是勵磁能量回收到C3中。
          3。由于各種因素的影響，T1A，T1B一般不會有100%的耦合，因此，T1A相對T1B來說，存在漏電感，即有一部能量，是不能通過退磁電流回收到C3中的。那么這部分能量實際上就是通過C0，D1進行回收的。
          4。漏感能量的回收：當Q1截止時，由于電磁感應的作用，T1A感生出“2”正，“1”負的電壓，于是這個能量通過D1對C0充電，漏感能量暫存在C0中。
          5。當Q1再次導通時，C0又通過Q1和T1B形成回路。實際上，這和C3通過Q1和T1A形成回路產生的效果是一樣的，都會把能量向次級傳送。
          6。通過4，5兩個過程，實際上完成了漏感能量的回收和再利用。